非晶硅在高溫晶化時(shí)脫膜抑制技術(shù)
低粉塵工藝技術(shù)
沉積薄膜過(guò)程電場(chǎng)阻抗系統穩態(tài)控制技術(shù)
大面積均勻性控制技術(shù)
等離子體脈沖氧化法制備超薄氧化硅技術(shù)
“氧化硅+原位摻雜非晶硅”二合一工藝技術(shù)
金辰股份與中科院寧波材料所展開(kāi)戰略合作,探索出用管式PECVD裝備實(shí)現PERTOP光伏電池核心材料“超薄氧化硅+原位摻雜非晶硅”的制備,同時(shí)在抑制非晶硅爆膜、防止電場(chǎng)導通、實(shí)現高效電池全工藝集成等關(guān)鍵技術(shù)方面取得了重大突破,推出了簡(jiǎn)化工藝流程解決方案。
等離子體增強型化學(xué)氣象沉積(PECVD)技術(shù)
依靠等離子電場(chǎng)硅烷解離,沉膜速率快,摻雜效率高
定向沉積,繞鍍輕微,成品率高
低溫工藝,腐蝕性附產(chǎn)物少,耗材成本低